恩智浦半導(dǎo)體NXP Semiconductors N.V.（NASDAQ：NXPI）今日發(fā)布了最新"超耐用"系列XR LDMOS射頻功率晶體管，專用于最惡劣的工程環(huán)境。XR系列像釘子一樣堅(jiān)固，可承受工業(yè)激光、金屬蝕刻和混凝土鉆孔等惡劣應(yīng)用環(huán)境。憑借恩智浦業(yè)界領(lǐng)先的LDMOS技術(shù)，XR系列將LDMOS擴(kuò)展到了目前為數(shù)不多的、仍在使用VDMOS和雙極晶體管的某些領(lǐng)域。恩智浦將于本周在美國馬里蘭州巴爾的摩舉行的2011年IEEE MTT-S國際微波研討會(huì)（IMS2011）上展示其首款XR射頻功率晶體管BLF578XR（展位號(hào)420）。
突發(fā)和嚴(yán)重的負(fù)載擾動(dòng)在某些射頻應(yīng)用場合極其普遍。射頻功率晶體管應(yīng)能處理這些擾動(dòng)，并在多年的使用中不失效或老化。恩智浦在實(shí)驗(yàn)室環(huán)境下通過引入負(fù)載端失配，將失配程度用電壓駐波比（VSWR）表示，重現(xiàn)了這些負(fù)載擾動(dòng)。多數(shù)基站和廣播應(yīng)用需要"堅(jiān)固耐用"的射頻功率晶體管，要求能在所有相位承受10：1的駐波比。"超耐用"的BLF578XR可輕易承受125：1的駐波比重復(fù)測試--這是測試單元目前測得的最高值。這對(duì)于某些ISM應(yīng)用非常關(guān)鍵--通常這些場合要求射頻功率晶體管能承受超過100：1的駐波比測試。
恩智浦半導(dǎo)體射頻功率產(chǎn)品總監(jiān)Mark Murphy表示："我們的新款XR系列具有一流的耐用性，為射頻功率開辟全新的市場，而這在以往是不可想象的。此次失配度測試，BLF578XR承受住了125：1的駐波比，測試結(jié)果說明了一切。為了進(jìn)一步展示XR系列的耐用性，我們又重現(xiàn)了多種極端惡劣的工作環(huán)境，結(jié)果證明BLF578XR的性能沒有受到絲毫影響。我們歡迎射頻功率工程師親自驗(yàn)證--無論是親臨IMS2011展會(huì)、或是觀看我們的‘堅(jiān)不可摧'視頻，也可以在他們自己的實(shí)驗(yàn)室中進(jìn)行驗(yàn)證。恩智浦作為業(yè)界領(lǐng)先的量產(chǎn)供應(yīng)商，擁有超過15年的市場經(jīng)驗(yàn)。此次推出的LDMOS產(chǎn)品不僅性能卓越，還具有VDMOS般堅(jiān)固耐用，且無需增加客戶成本，必將繼續(xù)引領(lǐng)高性能射頻領(lǐng)域的技術(shù)進(jìn)步。"
新款BLF578XR是恩智浦普及型BLF578的超耐用版本，而BLF578則是廣播和ISM等眾多應(yīng)用中射頻功率晶體管的主力軍。在多數(shù)應(yīng)用場合，BLF578XR可以通過簡易插裝來替代BLF578。
技術(shù)特點(diǎn)
BLF578XR采用恩智浦最先進(jìn)的LDMOS技術(shù)制造，專為需要極堅(jiān)固耐用性的應(yīng)用場合而設(shè)計(jì)。
· 頻率范圍：0-500MHz
· 增益： 24dB（225MHz）
· 效率：70%（225MHz）
· VSWR： 125:1（1200W所有相位）
· 峰值輸出功率： 1400W （脈沖）
· 熱增強(qiáng)： 0.14K/W
上市時(shí)間
恩智浦BLF578XR樣片已面世，并將于2011年第三季度量產(chǎn)。更多信息，請(qǐng)?jiān)L問：http://www.nxp.com/pip/BLF578XR.html
鏈接
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關(guān)于恩智浦HPRF
恩智浦是高性能射頻（HPRF）領(lǐng)域當(dāng)之無愧的領(lǐng)軍企業(yè)，每年的射頻器件出貨量超過40億件。從衛(wèi)星接收器、蜂窩基站、廣播發(fā)射機(jī)到ISM（工業(yè)、科學(xué)和醫(yī)療）、航空與國防應(yīng)用，恩智浦在高性能混合信號(hào)IC產(chǎn)品方面遙遙領(lǐng)先，更是高速轉(zhuǎn)換器SERDES串行接口領(lǐng)域公認(rèn)的領(lǐng)導(dǎo)者。恩智浦提供類型廣泛的高速數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器產(chǎn)品，包括JESD204A標(biāo)準(zhǔn)CGV、CMOS LVCOMS和LVDS DDR接口。這些高速轉(zhuǎn)換器適用于無線基礎(chǔ)設(shè)施、工業(yè)、科學(xué)、醫(yī)療、航空與國防等應(yīng)用。
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